联系我们：0312-2016988
English

产品与服务

PRODUCT

联系我们

电话：0312-2016988

邮箱：xiashuang@cengol.com

首页 > 产品与服务 > 碳化硅功率器件 >

碳化硅场效应晶体管

SiC MOSFET具有更低的导通电阻，更高的工作频率，开关损耗大幅降低，SiC MOSFET与Si IGBT器件相比可降低开关损耗70%，高温特性好、稳定性高。
型号 漏极电压
（VDS）		 导通电阻
（RDS（on））		 电流
（ID）		 封装形式
Package		 规格书下载
CSG020N12T4 1700V 20mΩ 90A TO-247-4L
CSG040N12T4 1700V 40mΩ 66A TO-247-4L

地址：河北省保定市高开区励行街666号大学科技园科创分园B6-203
邮编：071025
电话：0312-2016988
邮箱：xiashuang@cengol.com

版权所有：©2025 宇泉半导体 ALL RIGHTS RESERVED 京ICP备2021006800号-1