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碳化硅场效应晶体管
SiC MOSFET具有更低的导通电阻，更高的工作频率，开关损耗大幅降低，SiC MOSFET与Si IGBT器件相比可降低开关损耗70%，高温特性好、稳定性高。
| 型号 | 漏极电压 （VDS） |
导通电阻 （RDS（on）） |
电流 （ID） |
封装形式 Package |
规格书下载 |
|---|---|---|---|---|---|
| CSG013N12C4 | 1200V | 13mΩ | 155A | TO-247-4L-C |  |
| CSG018N12C4 | 1200V | 18mΩ | 121A | TO-247-4L-C | |
| CSG023N12C4 | 1200V | 23mΩ | 97A | TO-247-4L-C | |
| CSG026N12C4 | 1200V | 26mΩ | 85A | TO-247-4L-C | |
| CSG035N12C4 | 1200V | 35mΩ | 65A | TO-247-4L-C | |
| CSG010N12C4 | 1200V | 10.5mΩ | 179A | TO-247-4L-C | |
| CSG013N12T4 | 1200V | 13mΩ | 145A | TO-247-4L | |
| CSG008N12T4 | 1200V | 8.4mΩ | 218A | TO-247-4L | |
| CSG037N12T4 | 1500V | 37mΩ | 72A | TO-247-4L | |
| CSG015N12T4 | 1500V | 15mΩ | 144A | TO-263-4L | |
