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碳化硅单晶材料

  • 碳化硅单晶衬底

    产品规格:6-8英寸

    产品类型:导电型单晶衬底

    产品优势:禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。

    应用领域:主要应用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件等。

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  • 碳化硅外延片

    产品规格:4-8英寸

    产品类型:同质外延片

    产品特点:禁带宽度大、临界击穿电场高、高热导率、高电子饱和和迁移速度等。

    应用领域:主要应用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件等。

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碳化硅功率器件

  • 碳化硅肖特基二极管

    额定电压:650-1200V   

    额定电流:2-60A

    产品特点:碳化硅肖特基二极管相比普通的PN结势垒二极管具有导通压降低,开关速度快、0反向恢复、耐高温的优点。

    应用领域:碳化硅肖特基二极管可应用于光伏逆变器、高频电源、高性能服务器电源、充电桩充电模块等领域。

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  • 碳化硅场效应晶体管

    额定电压:650-1200V   

    额定电流:30-100A

    产品特点:碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET)具有更低的导通电阻,更高的工作频率,开关损耗大幅降低,SiC MOSFET与Si IGBT器件相比可降低开关损耗70%,高温特性好、稳定性高。

    应用领域:SiC MOSFET可应用于开关电源、光伏逆变器、充电桩充电模块、新能源汽车OBC、DC/DC等。

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碳化硅功率模块

  • SiC功率模块

    额定电压:650-1700V   

    额定电流:100-600A

    产品特点:碳化硅功率模块与传统硅基IGBT相比,碳化硅模块具有更高的功率密度、更快的工作频率,开关损耗可降低70%以上。

    应用领域:碳化硅功率模块可应用于轨道交通逆变牵引、新能源汽车电机控制器、光伏逆变器、ups电源、智能电网等。

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  • 超低电感SiC功率模块

    额定电压:1200V-1700V

    额定电流:300A、450A、600A

    产品特点:SiC功率模块采用优化的封装与拓扑设计,其杂散电感值仅为常规SiC功率模块的1/3,可显著拓宽开关频率运行区间,同时大幅降低开关损耗与导通损耗,有效提升电力变换系统的能效水平与长期运行稳定性。


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IGBT功率模块

  • IGBT功率模块

    额定电压:1200-1700V

    额定电流:15-900A

    产品特点:IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是集MOSFET的高频开关特性与GTR的低导通损耗于一体的功率半导体,核心特点是高频、高效、耐高压大电流,是电力电子领域的“能源变换核心”。



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定制化功率模组

  • 定制化功率模组

    额定电压:/

    额定电流:/

    产品特点:依托柔性化技术能力,可根据客户差异化需求,提供功率模块定制、驱动板设计、电容匹配及结构件集成的一体化交付服务。方案精准响应个性化诉求,同时通过继承供应精简客户供应链管理,降低采购与品控成本,助力缩短产品开发周期,提升终端竞争力。

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