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| 产品类别 | 型号 | 产品描述 | 资料下载 |
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| SiC单晶片 | 6英寸导电型单晶衬底 | 小批量试产产品，禁带宽度大、高热导率、高击穿电场，用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。 |
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| SiC外延片 | 6英寸N型SiC外延片 | 禁带宽度大、高热导率、高击穿电场，用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。 |
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| SiC SBD | CGC1S06506 | 电压650V，电流6A，TO-220封装，0反向回复特性，高频、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGF1S06506 | 电压650V，电流6A，TO-263封装，0反向回复特性，高频、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGC1S06508 | 电压650V，电流8A，TO-220封装，0反向回复特性，高频、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGC1S06510 | 电压650V，电流10A，TO-220封装，0反向回复特性，高频、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGF1S06510 | 电压650V，电流10A，TO-263封装，0反向回复特性，高频、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGJ1S06510 | 电压650V，电流10A，TO-220F封装，0反向回复特性，高频、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGC1S06515 | 电压650V，电流15A，TO-220封装，0反向回复特性，高频、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGE1S06520 | 电压650V，电流20A，TO-247-3封装，0反向回复特性，高频、高可靠性。 |
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