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碳化硅场效应晶体管
SiC MOSFET具有更低的导通电阻，更高的工作频率，开关损耗大幅降低，SiC MOSFET与Si IGBT器件相比可降低开关损耗70%，高温特性好、稳定性高。
| 型号 | 漏极电压 （VDS） |
导通电阻 （RDS（on）） |
电流 （ID） |
封装形式 Package |
规格书下载 |
|---|---|---|---|---|---|
| CSG012N08T4 | 750V | 12mΩ | 160A | TO-247-4L |  |
| CSG010N08T4 | 750V | 10mΩ | 172A | TO-247-4L | |
| CSG025N08C4 | 750V | 25mΩ | 92A | TO-247-4L-C | |
| CSG025N08T7 | 750V | 25mΩ | 98A | TO-263-7L | |
| CSG025N08T8 | 750V | 25mΩ | 102A | TOLL | |
| CSG040N08C4 | 750V | 38mΩ | 64A | TO-247-4L-C | |
| CSG040N08T7 | 750V | 38mΩ | 70A | TO-263-7L | |
| CSG040N08T8 | 750V | 38mΩ | 64A | TOLL | |
| CSG060N08C4 | 750V | 57mΩ | 45A | TO-247-4L-C | |
| CSG060N08T7 | 750V | 57mΩ | 46A | TO-263-7L | |
