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碳化硅场效应晶体管
SiC MOSFET具有更低的导通电阻，更高的工作频率，开关损耗大幅降低，SiC MOSFET与Si IGBT器件相比可降低开关损耗70%，高温特性好、稳定性高。
| 型号 | 漏极电压 （VDS） |
导通电阻 （RDS（on）） |
电流 （ID） |
封装形式 Package |
规格书下载 |
|---|---|---|---|---|---|
| CSG060N08T8 | 750V | 57mΩ | 52A | TOLL |  |
| CSG007N12T4 | 1200V | 7mΩ | 253A | TO-247-4L | |
| CSG014N12T4 | 1200V | 14mΩ | 152A | TO-247-4L | |
| CSG027N12T4 | 1200V | 27mΩ | 87A | TO-247-4L | |
| CSG030N12T4 | 1200V | 32mΩ | 76A | TO-247-4L | |
| CSG030N12C4 | 1200V | 32mΩ | 76A | TO-247-4L-C | |
| CSG030N12T3 | 1200V | 32mΩ | 73A | TO-247-3L | |
| CSG060N12T4 | 1200V | 60mΩ | 44A | TO-247-4L | |
| CSG060N12T3 | 1200V | 60mΩ | 44A | TO-247-3L | |
| CSG060N12T7 | 1200V | 60mΩ | 39A | TO-263-7L | |
